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对 AlN/GaN HFET.的低频跨导和输出电阻随温度的变化关系进行了检测,发现了由 GaN 沟道层中陷阱作用引起的分散特性,陷阱的激活能......
3瞬态电流谱和瞬态电阻谱中两种电子气的动态电流峰为了深入研究器件射频工作中的电流崩塌,许多作者测量了栅漏偏置电压改变时沟道......
在综述大功率AlGaN/GaN HFET性能退化实验结果的基础上,研究了器件退化与电流崩塌间的关联。分析了现有各类器件失效模型的优点和......
